término  |
definición |
|
empezar lección
|
|
element pp o wlasciwosciach wzmacniajacych w ktorym sterowanie przeplywem pradu odbywa sie za pomoca pola elektrycznego
|
|
|
|
empezar lección
|
|
G-bramka. D-dren. S-źródło. B-podłoze
|
|
|
|
empezar lección
|
|
polega na sterowanym transporcie jrdnego rodzaju nosnikow. sterowanie transportem odbywa sie w czesci zwanej kanalem. odbywa sie za posrednictwem zmian pola ele. przylozonego do bramki. w wyniku oddzialywania pola ele. kanal moze sie zwezac lub rozszerzac
|
|
|
|
empezar lección
|
|
tranzystor polowy, w ktorym bramka jest oddzielona od kanalu cienka warstwa izolacyjna najczesciej utworzonej z dwutlenku SiO2. dzieki odizolowaniu bramki niezaleznie od polaryzacji teorytycznie nie plynie przez nie zaden prad.
|
|
|
MOSFET z kanalem zubozalym empezar lección
|
|
normalnie wlaczone, tj. takie w ktorych istnieje kanal przy zerowym napieciu bramka-zrodlo
|
|
|
MOSFET z kanalem wzbogacanym empezar lección
|
|
normalnie wylaczone kanal tworzy sie dopiero gdy napiecie bramka-zrodlo przekroczycharakterystyczna wartosc
|
|
|
|
empezar lección
|
|
jeden rodzaj nosnikow plynal od zrodla do drenu. wyroznia sie dwa zakresy pracy. zakres nasycenia i zakres nienasycenia
|
|
|
|
empezar lección
|
|
zakres pracy tranzystora seterminuje napiecie dren-zrodlo, jezeli jest ono wieksze od napiecia nasycenia wowczas tranzystor znajduje sie w zakresie nasyceni
|
|
|
|
empezar lección
|
|
grupa energoelektronicznych przyrzadow mocy ktorych budowa jest polaczenie. korzysrnych wlasciwosci tranzystora polowego (sterowanie napieciowe) oraz tranzystora bipolarnego(duzy prad kolektora i maly spadek napiecia Uce)
|
|
|
|
empezar lección
|
|
falowniki, uklady sterowania silnikami z regulacja impulsowa w ukladach zasilania awaryjnego
|
|
|
|
empezar lección
|
|
napiecie Vds jeat male, prad drenu zalezy od niego proporcjonalnie. zmiana Vgs powoduje zmia e rezystancjk kanalu, JFET zachowuje sie jak sterowany nalieciowo rezystor
|
|
|
|
empezar lección
|
|
napiecie Vgs jest ujemne, kanal zostaje zatkany, nie plynie prad. tranzystor zachowuje sie jak przerwa, ma bardzo wysoka rezystancje
|
|
|
|
empezar lección
|
|
JFET staje sie sobrym przewodnikiem kontrolowanym przez napiecie Vgs, napiecie dren-zrodlo ma maly wplyw na prad drenu lub zaden
|
|
|
|
empezar lección
|
|
napiecie Vds staje sje na tyle wysokie, ze przebija kanal i prad plynie przez niego w sposob niekontrolowany
|
|
|
